[实用新型]高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置有效
| 申请号： | 201520953601.4 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN205304753U | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 胡龙;苏建仓;丁臻捷;浩庆松;袁雪林;方旭;樊亚军 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | H03K4/02 | 分类号： | H03K4/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨亚婷 |
| 地址： | 71002*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置，脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线，多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通；工作时，半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通，每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量，本实用新型基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。 | ||
| 搜索关键词： | 重复 频率 电压 亚纳秒 前沿 脉冲 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置，其特征在于：包括多级阶梯状脉冲形成线，所述多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关，各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。
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