[实用新型]掩模腔室装置有效
| 申请号: | 201520925671.9 | 申请日: | 2015-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN205508784U | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
| 发明(设计)人: | 栗田真一;稻川真;S·博斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本文所述的实施例涉及用于显示基板的处理的掩模腔室装置。所述掩模腔室可以是配置成用于制造OLED器件的较大的处理系统的部分。所述掩模腔室可配置成对在处理系统中的诸沉积工艺期间所利用的掩模加热和冷却。所述掩模腔室可以包括腔室体,所述腔室体限定容积,所述体积尺寸设计为适于接收容纳多个掩模的一个或多个盒。在所述容积内耦接至腔室体的加热器可配置成:当在沉积处理腔室中利用掩模之前,可控地加热掩模;并且在沉积处理腔室中使用之后,冷却所述掩模。 | ||
| 搜索关键词: | 掩模腔室 装置 | ||
【主权项】:
一种掩模腔室装置,所述掩模腔室装置包括:腔室体,所述腔室体限定容积,所述容积尺寸设计为适于在所述容积中接收一个或多个掩模;盖构件,所述盖构件在所述容积外可滑动地耦接至所述腔室体;加热构件,所述加热构件在所述容积内耦接至所述腔室体;温度测量构件,所述温度测量构件耦接至腔室体;以及平台,所述平台设置在所述容积内,并且与所述盖构件相对,其中,所述平台可移动地耦接至所述腔室体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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