[实用新型]一种温度系数小的带隙基准电路有效
申请号: | 201520912568.0 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN205176720U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 亚历山大 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种温度系数小的带隙基准电路,包括运算放大器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、二极管D1、二极管D2、二极管D3,分别串连在二极管D2上的电阻R2,三极管D3上的电阻R3,还包括译码编码电路,所述电阻R2为有可变电阻R20,所述电阻R3为有可变电阻R30,所述可变电阻R30的另一端与MOS管M3的漏端连接,所述可变电阻R20的另一端与MOS管M2的漏端连接,所述可变电阻R20和可变电阻R30的滑动端均与译码编码电路的输出端连接。本实用新型通过测试方法与电路设计的结合,很好的矫正了带隙电路的温度曲线,已达到带隙输出电压随温度工艺稳定,为DRAM芯片在较高的频率下达到SPEC规定的核心性能参数奠定了很高的电压基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 温度 系数 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种温度系数小的带隙基准电路,包括运算放大器、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、二极管D1、二极管D2、二极管D3,分别串连在二极管D2上的电阻R2,三极管D3上的电阻R3,其特征在于:还包括译码编码电路,所述电阻R2为有可变电阻R20,所述电阻R3为有可变电阻R30,所述可变电阻R30的另一端与MOS管M3的漏端连接,所述可变电阻R20的另一端与MOS管M2的漏端连接,所述可变电阻R20和可变电阻R30的滑动端均与译码编码电路的输出端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520912568.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种利用上转换单光子的移动装置
- 下一篇:饱和受控回路电流调节器