[实用新型]一种肖特基辐射伏特电池有效
| 申请号： | 201520911612.6 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN205264349U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 谷文萍;张赞;胡笑钏;张林 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710064 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基辐射伏特电池，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 辐射 伏特 电池 | ||
【主权项】：
一种肖特基辐射伏特电池，其特征在于，包括由SiC基片构成的衬底(1)，衬底(1)上部设置有N型SiC外延层(2)，所述N型SiC外延层(2)上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均注入形成有N型SiC欧姆接触掺杂区(3)，N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端设置有N型欧姆接触电极(5)，N型SiC欧姆接触掺杂区(5)上端与台阶顶部齐平，所述N型欧姆接触电极(5)两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源(6)；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极(4)。
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