[实用新型]一种新型非晶硅弱光型太阳能电池有效
申请号: | 201520795867.0 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN205122606U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 刘亮;刘海;姚群 | 申请(专利权)人: | 深圳市辰翔新能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0376 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518133 广东省深圳市坪山新区坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型属于新能源技术领域且公开了一种新型非晶硅弱光型太阳能电池,包括非晶硅原子层、抗腐蚀添加剂层、复合层侧区域,所述非晶硅原子层的下方安装有所述抗腐蚀添加剂层;所述非晶硅原子层的上方安装有所述复合层侧区域;所述非晶硅原子层的外围设置有P型参杂式非晶硅半导体层;所述非晶硅原子层的内部中央安装有非晶硅太阳能电池主体;所述非晶硅太阳能电池主体下方设置有升降液压杆,所述升降液压杆的下端连接有方形氧化钛层。本实用新型设计合理,增强组件整体一致性与压合度,并能够大幅提升光能的利用率,组件质量得到改善,防腐效果好,运用寿命长,工作效率得到提高,充电效果好,提高了充电速度,能源耗费少,漂亮美观。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 非晶硅 弱光 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种新型非晶硅弱光型太阳能电池,包括非晶硅原子层(1)、抗腐蚀添加剂层(8)、复合层侧区域(9),其特征在于,所述非晶硅原子层(1)的下方安装有所述抗腐蚀添加剂层(8);所述非晶硅原子层(1)的上方安装有所述复合层侧区域(9);所述非晶硅原子层(1)的外围设置有P型参杂式非晶硅半导体层(7);所述非晶硅原子层(1)的内部中央安装有非晶硅太阳能电池主体(2);所述非晶硅太阳能电池主体(2)下方设置有升降液压杆(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的