[实用新型]横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管有效
| 申请号： | 201520773650.X | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN205004339U | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果;温洁 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n-漂移层、在n-漂移层的正面形成阴极、双通道栅极和阳极、所述n-漂移层上的阴极与双通道栅极之间形成的n+阴极区、p+基层及p-基层，在所述双通道栅极与阳极之间有一层膜，形成n+浮空区与p-基层，该膜与阴极之间形成p+区与n+缓冲区。本实用新型公开了一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，既能提升击穿电压，又能保持闩锁电流密度不变，并且几乎不产生回跳现象。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 沟槽 电极 双通道 发射极 晶闸管 | ||
【主权项】：
一种横向沟槽电极双通道发射极关断晶闸管，其特征在于：包括p型基板、在所述p型基板上层形成的n‑漂移层、在n‑漂移层的正面形成阴极、双通道栅极和阳极、所述n‑漂移层上的阴极与双通道栅极之间形成的n+阴极区、p+基层及p‑基层，在所述双通道栅极与阳极之间有一层膜，形成n+浮空区与p‑基层，该膜与阴极之间形成p+区与n+缓冲区。
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