[实用新型]一种CMOS电路元件

摘要

本实用新型涉及一种CMOS电路元件，所述电路元件，包括P型阱区、N型区、浅沟道隔离区、钨栅极、栅极绝缘层、氮化硅层以及磷硅玻璃层。本实用新型的CMOS电路元件，具有良好的防漏电性能、能够提高器件运行速度等优点。

主权项

一种CMOS电路元件，其特征在于：所述电路元件包括P型阱区、N型区、浅沟道隔离区、钨栅极、栅极绝缘层、氮化硅层以及磷硅玻璃层；所述P型阱区为磷半导体，所述P型阱区上表面的中部设有一个凸台，所述P型阱区上表面在凸台两侧的区域各设有一个N型区；所述P型阱区上表面在两个N型区外侧的区域各设有一个浅沟道隔离区；所述栅极绝缘层复合在钨栅极上，所述栅极绝缘层覆盖除钨栅极上表面以外的区域；所述钨栅极设置在凸台上；所述N型区为氮半导体，所述N型区的高度与凸台的高度相同；所述氮化硅层复合于覆盖氮化硅层上表面、浅沟道隔离区以及钨栅极侧面的栅极绝缘层的区域；所述氮化硅层的厚度与栅极绝缘层的厚度相同；所述磷硅玻璃层复合于氮化硅层上；所述磷硅玻璃层上表面与钨栅极的上表面齐平；所述栅极绝缘层为五氧化二铊制成的栅极绝缘层。