[实用新型]一种超辐射发光二极管有效
| 申请号: | 201520706524.2 | 申请日: | 2015-09-11 | 
| 公开(公告)号: | CN204927805U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 | 
| 发明(设计)人: | 刘占元;陈硕;王爱民;古丽娟 | 申请(专利权)人: | 国网智能电网研究院;国家电网公司;北京大学 | 
| 主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/06 | 
| 代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 | 
| 地址: | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本实用新型提供一种超辐射发光二极管,包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器,所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体,所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。本实用新型提供的超辐射发光二极管可降低热敏电阻和超辐射发光管芯受外界环境的影响,从而提高超辐射发光二极管的输出光谱稳定性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 辐射 发光二极管 | ||
【主权项】:
                一种超辐射发光二极管,包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器,其特征在于:所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体,所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。
            
                    下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
                
                
            该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;北京大学,未经国网智能电网研究院;国家电网公司;北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520706524.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。





