[实用新型]一种防止晶硅正面电极氧化的存放装置有效
申请号: | 201520670458.8 | 申请日: | 2015-09-01 |
公开(公告)号: | CN205211782U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 周宇;李旺;钱金梁 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 272000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种防止晶硅正面电极氧化的存放装置,包括密封箱体,所述密封箱体内安装有至少两个承载板,所述密封箱体上安装有两个气体管道,其中一个气体管道与真空泵连通,另一个气体管道与惰性气体源连通,所述两个气体管道上分别安装有开关阀门,与惰性气体源连通的气体管道上还安装有流量计,本实用新型可以有效解决因电池片成品后未能及时入库、发货或未有明确装置来进行隔缘放置导致晶硅正面电极氧化现象,且使用便捷易操作,也可做弓片冷冻的装置,减少公司成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 正面 电极 氧化 存放 装置 | ||
【主权项】:
一种防止晶硅正面电极氧化的存放装置,其特征在于包括密封箱体,所述密封箱体内安装有至少两个承载板,所述箱体上安装有两个气体管道,其中一个气体管道与真空泵连通,另一个气体管道与惰性气体源连通,所述两个气体管道上分别安装有开关阀门,与惰性气体源连通的气体管道上还安装有流量计。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的