[实用新型]CMOS图像传感器件

摘要

本实用新型公开一种CMOS图像传感器件，包括图像传感芯片、透明盖板，此图像传感芯片的上表面具有感光区，所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔；所述盲孔由碗状孔和位于碗状孔底部的直孔组成；所述盲孔中碗状孔的上开口为120~130μm，下开口为62~68μm，孔深为40~45微米。本实用新型CMOS图像传感器件减小结构应力，提高了良率与电性能的稳定性，缩短了工艺周期，使晶圆制造时芯片尺寸更小。

主权项

一种CMOS 图像传感器件，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、透明盖板（2），此图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（3），所述透明盖板（2）边缘和图像传感芯片（1）的上表面边缘之间具有支撑围堰（4）从而在透明盖板（2）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（13），此支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）之间通过胶水层（5）粘合，图像传感芯片（1）下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（6），所述图像传感芯片（1）下表面和盲孔（6）侧表面具有钝化层（7），此盲孔（6）底部具有图像传感芯片（1）的引脚焊盘（8），所述钝化层（7）与图像传感芯片（1）相背的表面具有金属导电图形层（9），一防焊层（10）位于金属导电图形层（9）与钝化层（7）相背的表面，此防焊层（10）上开有若干个通孔（11），一焊球（12）通过所述通孔（11）与金属导电图形层（9）电连接；所述盲孔（6）由碗状孔（61）和位于碗状孔（61）底部的直孔（62）组成，所述盲孔（6）中碗状孔（61）的上开口为120~130μm，下开口为62~68μm，孔深为40~45微米；所述盲孔（6）中直孔（62）的上开口为55~60μm，下开口为45~50μm，孔深为34~36微米。