[实用新型]一种半桥开关输出级电路有效
| 申请号: | 201520535120.1 | 申请日: | 2015-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN204733149U | 公开(公告)日: | 2015-10-28 |
| 发明(设计)人: | 王齐祥 | 申请(专利权)人: | 广州播博科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 510000 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种半桥开关输出级电路,包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电感L2,其特征在于,所述MOS管Q1的源极连接至电感L1的一端,电感L1的另一端连接至电感L2的一端,电感L2的另一端连接至MOS管Q2的漏极,电阻R1的一端连接到MOS管Q1的源极与电感L1的连接点。本实用新型半桥开关输出级电路能够抑制MOS管导通瞬间所产生的尖峰电流,防止了功率管发热和损坏,减少了EMI干扰,降低了因反向电容引起的功放失真。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 开关 输出 电路 | ||
【主权项】:
一种半桥开关输出级电路,包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、二极管D1、二极管D2、电感L1和电感L2,其特征在于,所述MOS管Q1的源极连接至电感L1的一端,电感L1的另一端连接至电感L2的一端,电感L2的另一端连接至MOS管Q2的漏极,电阻R1的一端连接到MOS管Q1的源极与电感L1的连接点,电阻R1的另一端连接到MOS管Q2的漏极与电感L2的连接点,二极管D1的阳极连接至MOS管Q2的漏极与电感L2的连接点,二极管D1的阴极连接至正电源+V,二极管D2的阴极连接至MOS管Q1的源极与电感L1的连接点,二极管D2的阳极连接至负电源‑V,电感L1和L2的连接点连接负载电感L3。
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