[实用新型]一种带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置

摘要

本实用新型涉及一种带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置，包括加热器、坩埚托、外坩埚，还包括石英压块、浮渣过滤坩埚，浮渣过滤坩埚底部开数个直径0.4-0.6mm的浮渣过滤孔，通过Ar气对LEC炉膛进行数次充放气、抽真空进行卤盐熔体脱水、持续升温熔化GaSb块料等工艺，纯净的GaSb熔体经浮渣过滤孔进入浮渣过滤坩埚内，而氧化物浮渣隔离于浮渣过滤坩埚、外坩埚之间，有益效果是实现了浮渣过滤功能，结构简单，在预先优化热场分布的前提下，适于生长低位错单晶并能提高成晶率。

主权项

一种带浮渣过滤结构的LEC单晶生长装置，包括加热器（1）、坩埚托 （2）、外坩埚（3），其特征在于：还包括石英压块（4）、浮渣过滤坩埚（6），浮渣过滤坩埚（6）与外坩埚（3）形状相同、底部开数个直径0.4‑0.6mm的浮渣过滤孔（8），将浮渣过滤坩埚（6）放置于外坩埚（3）内部，使浮渣过滤坩埚（6）、外坩埚（3）共轴分布、壁间距1‑3cm，在浮渣过滤坩埚（6）顶部放置石英压块（4），使石英压块（4）的卡槽（5）与浮渣过滤坩埚（6）固定并卡紧在外坩埚（3）的内壁内。