[实用新型]一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件有效
| 申请号： | 201520459106.8 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN205039912U | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈惠 | 申请（专利权）人： | 陈惠 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，包括增益放大器、非晶硅热敏电阻、差分结构前置放大器，所述增益放大器末端安装有非晶硅热敏电阻；所述非晶硅热敏电阻上端设置着差分结构前置放大器；所述差分结构前置放大器通过导线与串行FLASH芯片相连；所述串行FLASH芯片左端设有场效应晶体管；所述场效应晶体管通过导线连接着金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体下端设置着传感器。本实用新型结构简单、设计合理、运算速度快，有效的将影像讯号转变为数字信号输出，而且耗能更低，适合运用推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 制作 数码影像 器材 感光 cmos 元件 | ||
【主权项】：
一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，其特征在于：包括增益放大器、非晶硅热敏电阻、差分结构前置放大器，所述增益放大器末端安装有非晶硅热敏电阻；所述非晶硅热敏电阻上端设置着差分结构前置放大器；所述差分结构前置放大器通过导线与串行FLASH芯片相连；所述串行FLASH芯片左端设有场效应晶体管；所述场效应晶体管通过导线连接着金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体下端设置着传感器；所述传感器右侧安装有主控制器；所述主控制器通过导线与电压基准元件相连接；所述电压基准元件内部设置着时基发生器；所述时基发生器安装在晶体管硅片上；所述晶体管硅片上端安装有NMOS核心器件。
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