[实用新型]自启动基准电压源有效
申请号: | 201520449289.5 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN204719590U | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 齐盛 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种自启动基准电压源。自启动基准电压源,包括第一PMOS管、第一NPN管、第一NMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二电阻、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第三NPN管、第五电阻、第四NPN管和第三PMOS管。利用本实用新型提供的自启动基准电压源可以得到基准电压。 | ||
搜索关键词: | 启动 基准 电压 | ||
【主权项】:
自启动基准电压源,其特征在于:包括第一PMOS管、第一NPN管、第一NMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第二电阻、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第三NPN管、第五电阻、第四NPN管和第三PMOS管;所述第一PMOS管的栅极接地,漏极接所述第一NMOS管的栅极和所述第一NPN管的集电极,源极接电源电压VCC;所述第一NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第三NPN管的集电极和所述第四NPN管的基极,集电极接所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极,发射极接地;所述第一NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一NPN管的集电极,漏极接所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四NPN管的集电极,源极接所述第一电阻的一端;所述第一电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极,另一端接地;所述第二PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第四NPN管的集电极和所述第一NMOS管的漏极,漏极接所述第二电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第二电阻的一端接所述第二PMOS管的漏极,另一端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端并作为基准电压源的输出端VREF;所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端,另一端接所述第二NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极;所述第二NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第三电阻的一端和所述第三NPN管的基极,发射极接地;所述第四电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述第三电阻的一端,另一端接所述第三NPN管的集电极和所述第四NPN管的基极和所述第一NPN管的基极;所述第三NPN管的基极接所述第三电阻的一端和所述第二NPN管的基极和集电极,集电极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极和所述第一NPN管的基极,发射极接所述第五电阻的一端;所述第五电阻的一端接所述第三NPN管的发射极,另一端接地;所述第四NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第三NPN管的集电极和所述第一NPN管的基极,集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极,发射极接地;所述第三PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第四NPN管的集电极和所述第一NMOS管的漏极。
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