[实用新型]一种光电化学刻蚀设备有效

专利信息
申请号: 201520448337.9 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN204727978U 公开(公告)日: 2015-10-28
发明(设计)人: 孙广毅;蒋秀芬;赵新 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C25F3/12 分类号: C25F3/12;C25F7/00
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 刘书元
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型公开了一种光电化学刻蚀设备,用于制备高深宽比硅微纳结构的加工。由左右两个腔体合并组成的腔室,在左腔体上固定有作为阳极的硅片,硅片的背后有铜圈,所述的铜圈中间设有通孔,通孔内放置光源;所述的右腔体中设有作为阴极的铂金片,并通过实心铜圈固定于硅片相对的位置,还包括用于连接左右两个腔体的主腔体上。在外部设备——蠕动泵,电源,灯源的配合下,将硅片作为阳极,铂金片作为阴极置于HF中,即可制得高深宽比较高的多孔硅。是一种无需掩膜,价格低廉,操作简单的光电化学刻蚀设备。
搜索关键词: 一种 光电 化学 刻蚀 设备
【主权项】:
一种光电化学刻蚀设备,其特征在于:包括左腔体,作为阳极的硅片固定在左腔体上;包括空心铜圈,设置在硅片的背后,所述的空心铜圈中间设有通孔;包括光源,所述的光源放置在空心铜圈的通孔内;包括右腔体,右腔体中设有作为阴极的铂金片;包括实心铜圈,用于将铂金片固定于硅片相对的位置;包括主腔体,用于连接左腔体和右腔体,并使两个腔体合并组成一个刻蚀腔腔室;所述的腔室内装满刻蚀液氢氟酸。
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