[实用新型]一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片有效
| 申请号： | 201520438406.8 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN204855051U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 刘同庆 | 申请（专利权）人： | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214064 江苏省无锡市滨湖区十八*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括第一SOI结构，构成压力传感器的衬底和压力敏感膜，第二SOI结构为表层SOI结构，包括通过生长绝缘隔离介质，在绝缘介质上淀积掺杂α-硅作为压敏电阻材料，通过刻蚀组成惠斯通电桥结构，该第二SOI结构，取代常规的PN结隔离模式，提高了传感器芯片的工作温度范围。本实用新型涉及的双SOI结构高温MEMS压力传感器芯片适合大批量生产，一致性好，量程精确、芯片尺寸小、耐高温、可靠性高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 结构 mems 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片，其特征在于：所述MEMS压力传感器芯片包括第一SOI结构、第二SOI结构、压力参考腔(8)，其中所述第一SOI结构包括衬底硅片(1)、依次形成在所述衬底硅片(1)上的第一绝缘隔离介质层(2)和单晶硅压力敏感膜(3)，所述第二SOI结构包括单晶硅压力敏感膜(3)、依次形成在所述单晶硅压力敏感膜(3)上的第二绝缘隔离介质层(4)和α‑硅薄膜电阻层(5)。
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