[实用新型]带势垒层结构的砷化铟热光伏电池有效
申请号: | 201520372603.4 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN204680680U | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/0725;H01L31/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本专利公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池,电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上,依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本专利的优点在于:利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流,从而最终提高热光伏电池的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 带势垒层 结构 砷化铟热光伏 电池 | ||
【主权项】:
一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池,包括衬底、阻挡层、吸收层和表面层,其特征在于:所述的光伏电池的结构为:在衬底上依次为宽禁带的阻挡层、砷化铟的吸收层、砷化铟的表面层;两个电极分别做在腐蚀后台面的衬底上以及砷化铟表面层上;所述的衬底是P型砷化铟或N型砷化铟衬底;所述的宽禁带的阻挡层是厚度为100‑200纳米的铟砷锑磷四元合金薄膜层,合金室温禁带宽度为0.50eV;所述的砷化铟的吸收层的厚度为3‑5微米;所述的砷化铟的表面层为N型砷化铟或P型砷化铟,厚度为100‑200纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的