[实用新型]一种用于单片清洗设备的防止晶片背面污染的装置有效
| 申请号: | 201520356146.X | 申请日: | 2015-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN204632736U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | 刘效岩;吴仪;赵曾男;张豹;姬丹丹 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
| 地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种用于单片清洗设备的防止晶片背面污染的装置,包括同心设于旋转卡盘上面的氮气盖,在氮气盖的上表面中部凸出设有一气体喷射机构,环绕气体喷射机构侧面均匀设有多个出气孔,出气孔按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置,既可不影响机械手取放晶片,又可使从出气孔喷射出的气体形成与晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层,可保证晶片整个背面都得到气体的保护,并可有效阻挡回溅的清洗液,避免对晶片背面造成二次污染。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 单片 清洗 设备 防止 晶片 背面 污染 装置 | ||
【主权项】:
一种用于单片清洗设备的防止晶片背面污染的装置,包括同心设于旋转卡盘上面的氮气盖,其特征在于,所述氮气盖的上表面中部凸出设有一气体喷射机构,环绕所述气体喷射机构侧面均匀设有多个出气孔,所述出气孔按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置,以使从所述出气孔喷射出的气体形成与所述晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520356146.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置和电子设备
- 下一篇:单抛片刷洗机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





