[实用新型]一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑有效
申请号: | 201520350619.5 | 申请日: | 2015-05-26 |
公开(公告)号: | CN204633632U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 张冬雷;杨方泽 | 申请(专利权)人: | 安徽理工大学 |
主分类号: | H02M7/537 | 分类号: | H02M7/537;H02H7/122 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 232001 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑,能迅速切断故障电流,从而避免了交流断路器动作,缩短了直流故障清除时间。由3个IGBT、4个二极管和一个电容组成,具体包括:两个IGBT T1、T2与两个二极管D1、D2构成逆变半桥;在此半桥中增加了一个IGBT T3和两个二极管D3、D4,T3和T2反向串联,T3和D3反向并联,二极管D4反向并联于D1阴极与D3阴极。当子模块正常工作时所述IGBT T3一直处于导通状态,当子模块出现故障时,故障信息被反馈到子模块控制器,子模块控制器发出控制信号,关断所有IGBT,穿越直流故障。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 直流 故障 穿越 能力 mmc 模块 拓扑 | ||
【主权项】:
本实用新型提供了一种具有直流故障穿越能力的MMC子模块拓扑,由3个IGBT、4个二极管和一个电容组成,其特征在于,两个IGBT T1、T2与两个二极管D1、D2构成逆变半桥,在此半桥中增加了一个IGBT T3和两个二极管D3、D4,T3和T2反向串联,T3和D3反向并联,二极管D4反向并联于D1阴极与D3阴极。
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