[实用新型]一种量子点五结太阳能电池有效
申请号: | 201520341685.6 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN204706573U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 高鹏;薛超;张无迪;刘如彬;肖志斌;孙强 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/0725 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 刘昕 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池领域,主要公开了一种量子点五结太阳能电池。该量子点五结太阳能电池结构依次为GaAs帽层、第一结AlxGa1-xIn0.5P电池、第一隧穿结、第二结AlxGa1-xAs电池、第二隧穿结、第三结GaAs电池、第三隧穿结、键合接触层、第四结InxGa1-xAsyP1-y电池、第四隧穿结、第五结InxGa1-xAs电池、InP缓冲层和InP衬底。其中,量子点浸润层为具有规整图形的量子点浸润层。本实用新型的有益效果是:该电池可以对更大波长范围的太阳辐射能进行吸收,因此具有高的光利用率,从而提高了光电转换效率;采用具有规整图形的量子点浸润层利于形成能级一致的量子点中间带,从而能够产生更多数量的电子-空穴对,利于短路电流密度的提高,进而提高该量子点五结太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 点五结 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种量子点五结太阳能电池,其特征在于,依次包括:GaAs帽层、第一结AlxGa1‑xIn0.5P电池、第一隧穿结、第二结AlxGa1‑xAs电池、第二隧穿结、第三结GaAs电池、第三隧穿结、键合接触层、第四结InxGa1‑xAsyP1‑y电池、第四隧穿结、第五结InxGa1‑xAs电池、InP缓冲层和InP衬底;其中,所述第三结GaAs电池依次包括:第三结GaAs电池的窗口层、第三结GaAs电池的发射层、量子点浸润层、量子点复合层和第三结GaAs电池的基区层;所述键合接触层依次为基于所述第三隧穿结外延生长的GaAs键合接触层和基于所述第四结InxGa1‑xAsyP1‑y电池外延生长的InP键合接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的