[实用新型]低位错密度和残余应力的LED外延结构有效
| 申请号： | 201520326531.X | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN204668342U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 程腾;翟小林;俞登永;赖志豪;曾奇尧;林政志 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12 |
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| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 低位错密度和残余应力的LED外延结构，涉及半导体发光领域。本实用新型从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述u型GaN层从下至上依次包括u-GaN三维生长层、u-GaN二维块体生长层和u-GaN二维掺杂超晶格生长层。所述u-GaN二维掺杂超晶格生长层包括从下至上交替生长的变温变压掺杂GaN层和变温变压未掺杂GaN层，变温变压掺杂GaN层中的掺杂元素为Si。同现有技术相比，本实用新型通过结构的变化，有效降低位错密度和残余应力，提高器件的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 低位 密度 残余 应力 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
低位错密度和残余应力的LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、u型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源层（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7）， 其特征在于：所述u型GaN层（3）从下至上依次包括u‑GaN三维生长层（3‑1）、u‑GaN二维块体生长层（3‑2）和u‑GaN二维掺杂超晶格生长层（3‑3），所述u‑GaN二维掺杂超晶格生长层（3‑3）包括从下至上交替生长的变温变压掺杂GaN层（3‑3A）和变温变压未掺杂GaN层（3‑3B），变温变压掺杂GaN层（3‑3A）中的掺杂元素为Si。
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