[实用新型]一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体有效
申请号: | 201520316108.1 | 申请日: | 2015-05-15 |
公开(公告)号: | CN204575880U | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 朱锦锋;白彦强;蔡艺军;刘海;柳清伙 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体,涉及电磁波吸收体。本实用新型为3层结构,从下至上依次为衬底、金属层和介电层,在介电层上设有金属微纳阵列。所述衬底采用单面抛光硅片。所述金属层可采用金层或银层;所述金属层的厚度可大于100nm。所述介电层采用介电氧化物层,所述介电氧化物层可选自Al2O3或SiO2;所述介电层的厚度可为10~50nm。采用电子束直写技术制作的纳米压印模板,其精密程度完全可以满足器件对阵列周期以及阵列直径的要求。精确模板的使用可以很好地保证每个阵列单元的一致性。由于纳米压印技术的采用,使器件的制作成本降低,且可用于工业中的大量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 压印 工艺 可见 红外光 吸收体 | ||
【主权项】:
一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体,其特征在于为3层结构,从下至上依次为衬底、金属层和介电层,在介电层上设有金属微纳阵列。
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