[实用新型]自供电电子器件结构

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种自供电电子器件结构，可基于传统半导体工艺的基础上，通过在一衬底的正面表面上制备有离子掺杂区和金属连接线，以形成能量采集器；而在该衬底的背面表面上开设有沟槽，并基于该沟槽制备叠置的底部金属层和顶部金属层，即制备有能量存储器，即基于同一个衬底，将能量采集器与能量存储器集成为一体的沟槽式三维结构，以有效的降低半导体器件的体积。

主权项

一种自供电电子器件结构，其特征在于，应用于无源自供电传感器系统中，所述自供电电子器件结构包括：衬底，具有正面表面及相对于该正面表面的背面表面，且该衬底中制备有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区，所述衬底的背面表面上还开设有沟槽；第一保护层，覆盖在所述衬底的正面表面上；金属连接线，至少一根所述金属连接线贯穿所述第一保护层与位于所述第一类型掺杂区中所述衬底的正面表面接触，至少另一根所述金属连接线贯穿所述第一保护层与位于所述第二类型掺杂区中所述衬底的正面表面接触；底部金属层覆盖所述沟槽的底部及侧壁，且该底部金属层还覆盖所述衬底的背面表面；介质层，覆盖所述底部金属层暴露的表面；顶部金属层，覆盖所述介质层暴露的表面，并充满所述沟槽；第二保护层，覆盖所述顶部金属层暴露的表面；金属互联线，至少一根所述金属互联线贯穿所述第二保护层与位于所述沟槽之上的所述顶部金属层的表面接触，至少另一根所述金属互联线依次贯穿所述第二保护层和所述介质层与位于所述沟槽一侧的所述底部金属层的表面接触；其中，所述金属连接线凸出于所述第一保护层暴露的表面，所述金属互联线凸出于所述第二保护层的表面。