[实用新型]对封装应力不敏感的MEMS芯片

摘要

本实用新型公开了一种对封装应力不敏感的MEMS芯片，包括底板、下电极层、MEMS活动结构层和盖板，底板上至少有一个下空腔，盖板上至少有一个上空腔，上空腔、下电极层、低温玻璃和盖板形成至少一个密封腔，MEMS活动结构和下电极被包围在密封腔内，密封腔外的压焊座上制作有压焊块，下电极层与MEMS活动结构层相互平行，通过中间氧化层相互电绝缘。本实用新型提供的MEMS芯片中MEMS活动结构和下电极的电信号都通过下电极层柔软的导电条传输到下导电区，再由下导电区引出密封腔，而且MEMS活动结构和下电极与底板接触面积很小，所以由封装引起的应力只有很小一部分传导到MEMS结构上，对MEMS芯片的性能影响很小。

主权项

一种对封装应力不敏感的MEMS芯片，包括有至少一个下空腔的底板、下电极层、MEMS活动结构层、至少有一个上空腔的盖板，下电极层中的下电极和MEMS活动结构层中的MEMS活动结构被密封在从下至上依次由底板、第二氧化层、下导电区和下密封区、低温玻璃、盖板围成的一个密封腔内，盖板通过低温玻璃与下电极层的下导电区、下密封区结合，其特征在于，底板与下电极层通过硅‑二氧化硅键合工艺结合，下电极层与MEMS活动结构层相互平行，下电极层包括至少两个下压焊座、至少两个下导电区、下密封区、下电极、下键合区、密封区隔离沟、下电极隔离沟、至少两个导电条，下键合区包括导电键合柱、下电极锚区，导电键合柱中包括第二导电塞，下压焊座中包括第一导电塞，下电极包括凸块塞，下电极上有凸块，通过下电极锚区固定在底板的底板键合柱上；MEMS活动结构层包括MEMS活动结构、至少两个上压焊座、密封挡块、第一密封槽、第二密封槽、分隔槽、锚区，密封挡块分别位于下密封区与下导电区的上方，MEMS活动结构通过锚区、中间氧化层、导电键合柱固定在底板键合柱上，与导电键合柱通过第一导电塞电连接；每个上压焊座上均设有金属压焊块。