[实用新型]氮化物发光二极管组件有效
| 申请号： | 201520145705.2 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN204441316U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;黄文宾 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种氮化物发光二极管组件，包括：N型层、活性层和P型层，其特征在于，所述P型层包括于活性层上依次层叠的含铝氮化物层、未掺杂氮化物(u-GaN)层和杂质原子浓度大于1×1021/cm3的P型接触层。本实用新型通过控制P型接触层的成长温度和厚度，将其厚度控制于100埃以下，降低了P型层对光的吸收；同时，未掺杂氮化物层避免了电极附近处电流密度较高，进而提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 组件 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管组件，包括：N型层、活性层和P型层，其特征在于：所述P型层包括于活性层上依次层叠的含铝氮化物层、未掺杂氮化物层和杂质原子浓度大于1×1021/cm3的P型接触层。
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