[实用新型]半导体器件的结构

摘要

本实用新型涉及半导体器件的结构。提供了半导体器件，包括：半导体衬底；第一半导体区，形成为在半导体衬底上掺杂区；漂移区，形成为在第一半导体区内并在半导体衬底上的第一导电类型第一掺杂区，漂移区有第一掺杂浓度；第一漏极区，在漂移区内形成为第一导电类型第二掺杂区，第一漏极区有大于第一掺杂浓度第二掺杂浓度；第一漏极区内的第一导电类型第二漏极区，第二漏极区有大于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度；第一半导体区中的第二导电类型体区，横向地间隔远离漂移区；体区中的第一导电类型源极区；以及第二导电类型埋置区，埋置区在源极区、体区的至少一部分以及漂移区的至少一部分之下，不在第一漏极区和第二漏极区之下。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一半导体区，形成为位于所述半导体衬底上的掺杂区；漂移区，形成为在所述第一半导体区内并位于所述半导体衬底上的第一导电类型的第一掺杂区，所述漂移区具有第一掺杂浓度；第一漏极区，在所述漂移区内形成为所述第一导电类型的第二掺杂区，所述第一漏极区具有大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度；在所述第一漏极区内的所述第一导电类型的第二漏极区，所述第二漏极区具有大于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度；在所述第一半导体区中的第二导电类型的体区，横向地间隔远离所述漂移区；在所述体区中的所述第一导电类型的源极区；以及第二导电类型的埋置区，所述埋置区位于所述源极区、所述体区的至少一部分以及所述漂移区的至少一部分之下，但不位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之下。