[实用新型]低压CMOS器件及CMOS反相器

摘要

本实用新型适用于半导体制造领域，提供一种低压CMOS器件以及CMOS反相器，半导体衬底上具有低压PMOS元件、低压NMOS元件、所述低压PMOS元件和低压NMOS元件中任意一个与半导体衬底之间设有第一高压阱，另一个与半导体衬底之间则设有低压阱，半导体衬底上还设有与所述低压阱对应的第二高压阱；低压阱和第一高压阱皆位于第二高压阱内；所述低压PMOS元件的栅极和低压NMOS元件的栅极连通后形成输入端；所述低压PMOS元件的漏极和所述低压NMOS元件的漏极连通后形成输出端；所述低压PMOS元件的源极形成所述反相器的高电位端；所述低压NMOS元件的源极形成所述反相器的低电位端。通过降低掺杂浓度的方式使得低压CMOS器件可以接高电压，实现了高压的逻辑转换，节约了版图的面积。

主权项

一种低压CMOS器件，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底上具有低压PMOS元件、低压NMOS元件、所述低压PMOS元件和低压NMOS元件中任意一个与所述半导体衬底之间设有第一高压阱，另一个与所述半导体衬底之间则设有低压阱，所述半导体衬底上还设有与所述低压阱对应的第二高压阱；所述低压阱和所述第一高压阱皆位于所述第二高压阱内。