[实用新型]轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池有效
申请号: | 201520100744.0 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN204375766U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 刘兴翀;魏欣;魏泽忠 | 申请(专利权)人: | 成都格莱飞科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区天*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池,它包括位于底面的Al电极,Al电极上表面为Si-Al合金层,Si-Al合金层上表面为P型硅层,P型硅层上表面为N型硅层,N型硅层上表面为减反层,减反层上表面为石墨烯薄膜层,石墨烯薄膜层上还成型有一层复合PVB胶片层,复合PVB胶片层为双层PVB胶片层结构,且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒。本实用新型提供了一种轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池,该晶硅电池采用石墨烯透明导电膜为电池正面电极,实现无遮光,增加电池有效受光面积,提高电池转换效率、降低电极成本,使用PVB复合胶片层对石墨烯薄膜层进行保护,克有效防止石墨烯剥离。 | ||
搜索关键词: | 轻量型抗 剥离 石墨 烯晶硅 电池 | ||
【主权项】:
轻量型抗剥离石墨烯晶硅电池,其特征在于:它包括位于底面的Al电极(1),Al电极(1)上表面为Si‑Al合金层(2),Si‑Al合金层(2)上表面为P型硅层(3),P型硅层(3)上表面为N型硅层(4),N型硅层(4)上表面为减反层(5),减反层(5)上表面为石墨烯薄膜层(6),石墨烯薄膜层(6)上还成型有一层复合PVB胶片层(8),复合PVB胶片层(8)为双层PVB胶片层结构,且在双层PVB胶片层之间喷有一层均匀成型的CO3S4颗粒(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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