[实用新型]一种改进型多晶硅太阳能电池片有效

专利信息
申请号: 201520091150.8 申请日: 2015-02-10
公开(公告)号: CN204348733U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 叶挺宁 申请(专利权)人: 江西金泰新能源有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/0216
代理公司: 鹰潭市博惠专利事务所 36112 代理人: 王卿
地址: 335200 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型提供一种改进型多晶硅太阳能电池片,包括硅片,硅片的正面镀有反折射膜,反折射膜上面印主栅线和次栅线,硅片的背面印有背电极,其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜,所述主栅线和次栅线呈相互垂直状,所述主栅线具有三根,所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小,呈等腰三角形。所述背电极为一种由若干银珠均匀分布构成设定长度和宽度的银带,所述银珠为圆柱形。本实用新型具有制造成本低,转换效率高等特点。
搜索关键词: 一种 改进型 多晶 太阳能电池
【主权项】:
一种改进型多晶硅太阳能电池片,包括硅片(1),硅片的正面镀有反折射膜(2),反折射膜上面印主栅线(3)和次栅线(4),硅片的背面印有背电极(5),其特征是所述反折射膜包括折射率为2.1—2.4的第一层氮化硅减反射膜和折射率为1.7—1.9的第二层氮化硅减反射膜,所述第一层氮化硅减反射膜镀在硅片的表面,所述第二层氮化硅减反射膜镀在第一层氮化硅减反射膜镀表面,所述第一层氮化硅减反射膜的厚度为10—15nm ,所述第二层氮化硅减反射膜的厚度为65—75nm,所述主栅线和次栅线呈相互垂直状,所述主栅线具有三根,其中一根设置在所述硅片的对称线上,另外二根分置在所述对称线上的主栅线两侧,且各相距52mm,所述次栅线为等距离分布,所述三根主栅线的线宽均为1.4mm,每根次栅线的线宽为40um,每根次栅线的两端距离硅片的边缘均为1.5mm,所述三根主栅线两端的线宽逐渐缩小,呈等腰三角形,所述背电极为一种由若干银珠(6)均匀分布构成设定长度和宽度的银带,所述银珠为圆柱形,相邻银珠之间保持设定的间距,所述背电极长度为12.5mm,宽度为2.8mm,构成背电极的银珠直径为0.25mm,横向和纵向的任何相邻的两个银珠的间距为0.35mm。
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