[实用新型]一种高亮度发光二极管

摘要

一种高亮度发光二极管，属于光电子技术领域，在永久衬底GaAs的一面依次设置N-GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层、掺杂镁的P-GaP电流扩展层、氧化铟锡透明薄膜和第一电极，在永久衬底GaAs的另一面设置第二电极。在掺杂镁的P-GaP电流扩展层和氧化铟锡透明薄膜之间设置图形化的接触点。由于氧化铟锡透明薄膜具有良好的电流扩展能力，电极通过该氧化铟锡透明薄膜，再通过接触点将电流均匀注入到整个芯片表面，从而减小了电流在电极下方的积聚，减少了电流的无效注入，提升了发光效率。

主权项

一种高亮度发光二极管，在永久衬底GaAs的一面依次设置N‑GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层、掺杂镁的P‑GaP电流扩展层、氧化铟锡透明薄膜和第一电极，在永久衬底GaAs的另一面设置第二电极，其特征在于在所述掺杂镁的P‑GaP电流扩展层和氧化铟锡透明薄膜之间设置图形化的接触点。