[实用新型]一种高密度引线框架的产品运送盒有效
| 申请号： | 201520047435.1 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN204315545U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 邓海涛;胡晶;王利华 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;熊晓果 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体封装设备领域，特别涉及一种高密度引线框架的产品运送盒。包括矩形盒体，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，所述盒体内壁之间的距离（即所述内槽的宽度）为74.2mm。相比于传统标配的内槽宽度为73.6mm的产品运送盒，本实用新型可大幅度减小宽度为72mm的高密度引线框架装料过程中的卡料现象，对比与传统标配的内槽宽度为73.6mm的产品运送盒平均每台机器24小时卡料0.3次的事故率，本实用新型提供的内槽宽度为74.2mm的产品运送盒卡料事故率几乎为0。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 引线 框架 产品 运送 | ||
【主权项】：
一种高密度引线框架的产品运送盒，包括矩形盒体，所述盒体的前端敞开，所述盒体左右侧壁内部自上向下均匀设置有对称的槽齿，所述上下槽齿之间形成容纳高密度引线框架的内槽，其特征在于，所述槽齿的厚度为3.6mm,所述上下槽齿之间的距离为1.2mm，所述对称设置的槽齿端头之间的距离为66.6mm，所述盒体左右内壁之间的距离为74.2mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
