[发明专利]一种降低TLC闪存的固态硬盘写放大的方法有效
| 申请号： | 201511031253.6 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105677244B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 华荣;李建;秦龙华;杨学森 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 叶新民 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低使用TLC闪存的固态硬盘写放大的方法，其特征在于一个Word Line处于Incomplete状态时，当系统触发对该Word Line所在的数据进行Read操作时或系统需要掉电时，先查询预先建立的待回收数据查询表，查找到合适的存在待回收数据block，将该待回收数据作为填充数据填充到对应的存储区域，完成数据垃圾回收工作，Word Line进入Complete状态，再触发对该Word Line的Read数据操作或系统掉电操作。通过使用待垃圾回收块中的有效数据代替无效数据，推动Word Line进入Complete状态，达到降低写放大，提高系统性能，增加使用寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 tlc 闪存 固态 硬盘 放大 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低使用TLC闪存的固态硬盘写放大的方法，其特征在于一个Word Line的完成一个Program操作后，该Word Line处于Incomplete状态时，当系统触发对该Word Line所在的数据进行Read操作或系统需要掉电时，先查询预先建立的待回收数据查询表，查找到合适的存在待回收数据block，将该待回收数据作为填充数据填充到当前处于Incomplete状态所在的Word Line对应的存储区域，完成数据垃圾回收工作，同时将处于Incomplete状态的Word Line进入Complete状态，再触发对该Word Line的Read数据操作或系统掉电操作。
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