[发明专利]AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件有效
| 申请号： | 201511029761.0 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105470357B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 董彬忠;张武斌;艾海平;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层，所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上，AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜；所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。 | ||
| 搜索关键词： | aln 模板 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种AlN模板，包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，其特征在于，所述AlN薄膜包括在所述衬底上沉积的第一AlN层，所述第一AlN层中掺有氧，且从所述第一AlN层与所述衬底界面到所述第一AlN层的表面的方向，所述第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。
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