[发明专利]AlGaN模板、AlGaN模板的制备方法及AlGaN模板上的半导体器件有效
| 申请号： | 201511029673.0 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633223B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 董彬忠;张武斌;艾海平;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种AlGaN模板、AlGaN模板的制备方法及AlGaN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlGaN模板包括：衬底和在衬底上沉积的Al1‑xGaxN结晶薄膜，0 | ||
| 搜索关键词： | algan 模板 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN模板，包括衬底，其特征在于，所述AlGaN模板还包括在所述衬底上沉积的Al1‑xGaxN结晶薄膜，0
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