[发明专利]高电子迁移率晶体管和存储器芯片在审
| 申请号： | 201511029476.9 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935641A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;陈建国;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管和存储器芯片，其中所述高电子迁移率晶体管包括基底；氮化镓层和氮化镓铝层，所述氮化镓层的一侧复合于所述基底的表层，所述氮化镓层的另一侧复合于所述氮化镓铝层的底部；介质层，复合于所述氮化镓铝层的顶层，所述介质层设置有至少两个贯通的接触孔；电极，所述电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，所述漏极电极和所述上述源极电极分别设置于对应的所述至少两个贯通的接触孔中对应的接触孔中，其中，介质层包括金属氧化层和/或无机氧化层，无机氧化层包括第一氧化硅层。通过本发明的技术方案，改善了高电子迁移率晶体管的界面态，有效地降低了上述晶体管的反向漏电流，同时提升了上述晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 存储器 芯片 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：基底；氮化镓层和氮化镓铝层，所述氮化镓层的一侧复合于所述基底的表层，所述氮化镓层的另一侧复合于所述氮化镓铝层的底部；介质层，复合于所述氮化镓铝层的顶层，所述介质层设置有至少两个贯通的接触孔；电极，所述电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，所述漏极电极和所述上述源极电极分别设置于对应的所述至少两个贯通的接触孔中对应的接触孔中，其中，所述介质层包括金属氧化层和/或无机氧化层，所述无机氧化层包括第一氧化硅层。
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