[发明专利]一种太赫兹波段硅基片载端射天线装置

摘要

本发明公开了一种太赫兹波段硅基片载端射天线装置，包括衬底，其中衬底的上端面设有SiO2层,所述SiO2层内设有第一金属层、金属块、第二金属层，所述第一金属层设在所述SiO2层的内底面，所述第一金属层上设有金属块，所述金属块的上端面设有第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层平行，所述金属块的上端面设有馈电端，所述馈电端连接有巴伦，所述第二金属层连接有偶极子，所述巴伦、偶极子与所述衬底分别平行，且巴伦、偶极子在所述馈电端的同侧，所述馈电端、巴伦、偶极子均设在SiO2层内。该装置减少了天线辐射能量被衬底的吸收，与主流CMOS工艺全面兼容，适用于各种电阻率的硅基片，不需要额外的阻抗匹配部件；且其结构简单、尺寸小、效率高、增益高。

主权项

1.一种太赫兹波段硅基片载端射天线装置，包括衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)的上端面设有SiO2层(10),所述SiO2层(10)内设有第一金属层(2)、金属块(3)、第二金属层(4)，所述第一金属层(2)设在所述SiO2层(10)的内底面，所述第一金属层(2)上设有金属块(3)，所述金属块(3)的上端面设有第二金属层(4)，所述第一金属层(2)与所述第二金属层(4)平行，所述金属块(3)的上端面设有馈电端(5)，所述馈电端(5)连接有巴伦(6)，所述第二金属层(4)连接有偶极子(7)，所述巴伦(6)、偶极子(7)与所述衬底(1)分别平行，且所述巴伦(6)、偶极子(7)在所述馈电端(5)的同侧，所述馈电端(5)、巴伦(6)、偶极子(7)均设在SiO2层(10)内；所述衬底(1)下端面的一端设有反射面(8)，另一端的内底面设有槽，所述槽内填充有金属形成反射器(9)，所述反射器(9)与所述巴伦(6)在所述馈电端(5)的同侧；所述衬底(1)由两层或两层以上的金属层组成，最顶层金属的厚度为2‑3um，最底层金属的厚度为0.4‑0.6um，各层金属层之间设有介质。