[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 201511026239.7 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206418B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及集成电路。一种半导体衬底包括掺杂区。预金属化电介质层在该半导体衬底之上延伸。第一金属化层被布置在该预金属化电介质层的顶表面上。金属接触从该第一金属化层延伸到该掺杂区。该预金属化电介质层包括多个子层，并且该第一金属接触由多个子接触形成，每个子接触在这些子层之一中形成。每个第一子接触具有宽度和长度，其中，形成该金属接触的这些子接触的长度全部彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：绝缘层，所述绝缘层具有平坦顶表面；所述绝缘层之内的第一金属结构；其中，所述绝缘层包括多个子层；其中，所述第一金属结构包括相应的多个第一子结构，每个第一子结构在所述子层之一中形成并且具有的厚度等于形成有所述第一子结构的子层的厚度，每个第一子结构具有宽度维度和长度维度；其中，所述第一金属结构中的所述第一子结构的所述宽度维度或所述长度维度中的一者对于所有第一子结构相同；并且其中，所述第一金属结构中的所述第一子结构的所述宽度维度或所述长度维度中的另一者对于所有第一子结构不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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