[发明专利]一种倒装近深紫外发光二极管的外延结构及制备方法在审
| 申请号： | 201511024199.2 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105720147A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王嘉星;陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倒装近紫外发光二极管的外延结构及制备方法，该倒装近紫外发光二极管的外延结构上从下到上依次为：衬底、AlN溅射层、非掺杂AlxGa1-xN层、n型AlyGa1-yN层、多量子阱InuGa1-uN/AlvGa1-vN层、p型AlwGa1-wN层、p型AlzGa1-zN层以及p型GaN接触层，其中，x、y、z、u以及v的取值范围都为0.001～0.500，w的取值范围为0.100～0.500。由于底层没有GaN层，该外延结构可以有效地减少外延材料本身对近紫外光的自吸收，提高倒装近紫外发光二极管的光提取效率。此外，使用AlN溅射层可以显著提高外延结构的晶体质量，达到提高近倒装近紫外发光二极管内量子效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 深紫 发光二极管 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装近紫外发光二极管的外延结构，其特征在于，所述外延结构从下到上依次为：衬底、AlN溅射层、非掺杂AlxGa1‑xN层、n型AlyGa1‑yN层、多量子阱InuGa1‑uN/AlvGa1‑vN层、p型AlwGa1‑wN层、p型AlzGa1‑zN层以及p型GaN接触层，其中，所述x、y、z、u以及v的取值范围都为0.001～0.500，所述w的取值范围为0.100～0.500。
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