[发明专利]IGBT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201511023881.X | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105489644B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 韩健;顾悦吉;黄示;陈琛 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件采用复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅，所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度，因此可以在减少平面栅的长度，在缩小元胞尺寸的情况下还可以达到实现电子注入增强效应的目的。此外，本发明的IGBT器件在P阱区域增加辅助沟槽栅，使得空穴能够在辅助沟槽栅的底部和侧壁堆积，增强P阱区域下方电子注入增强效应。同时，由于此辅助沟槽栅与发射极金属电极电连接，可以有效的提高IGBT器件的发射极与集电极之间电容，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，包括：N型半导体衬底；形成于所述半导体衬底背面的P型集电区；形成于所述半导体衬底正面内的P阱；形成于所述P阱内的N型发射区；形成于所述半导体衬底正面的复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于所述半导体衬底正面上的平面栅以及形成于所述半导体衬底正面内的沟槽栅；其特征在于，还包括：形成于所述半导体衬底正面上以及所述平面栅上的隔离介质层，所述隔离介质层具有暴露所述N型发射区部分表面的通孔；形成于所述半导体衬底正面上以及所述隔离介质层上的发射极金属电极；形成于所述P阱远离所述沟槽栅一侧并与所述发射极金属电极电连接的辅助沟槽栅。
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