[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用第二保护性绝缘膜填充沿着介电膜的晶界的间隙；在第二保护性绝缘膜形成后，使导电膜形成图案以提供下电极。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成导电膜；在所述导电膜上形成介电膜，所述介电膜包括铁电体；在所述介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在所述上电极和所述介电膜上形成第一保护性绝缘膜；通过原子层沉积法在所述第一保护性绝缘膜上形成第二保护性绝缘膜，从而用所述第二保护性绝缘膜填充沿着所述介电膜的晶界产生的间隙；以及在所述第二保护性绝缘膜形成后，使所述导电膜形成图案以提供下电极，从而形成包括所述上电极、所述介电膜和所述下电极的铁电电容器。