[发明专利]具有底部栅极的金氧半场效晶体管功率元件在审
| 申请号： | 201511021386.5 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935645A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈冠宇;李序恒;陈美玲 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 梁挥,祁建国 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有底部栅极的金氧半场效晶体管功率元件，包含一第一导电型基板；一第一导电型外延层，位于该第一导电型基板之上；多个元件沟槽，设立于该第一导电型外延层的上表面，每一元件沟槽中具有由深至浅排列的一底部栅极、一分离栅极及一沟渠栅极，其中该底部栅极及该第一导电型外延层之间具有一底部绝缘层，在该底部栅极及该分离栅极之间具有一中间绝缘层，在该分离栅极及该沟渠栅极之间具有一上层绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 底部 栅极 半场 晶体管 功率 元件 | ||
【主权项】：
一种具有底部栅极的金氧半场效晶体管功率元件，其特征在于，包含：一第一导电型基板；一第一导电型外延层，位于该第一导电型基板之上；多个元件沟槽，设立于该第一导电型外延层的上表面，每一元件沟槽中具有由深至浅排列的一底部栅极、一分离栅极及一沟渠栅极，其中该底部栅极及该第一导电型外延层之间具有一底部绝缘层，在该底部栅极及该分离栅极之间具有一中间绝缘层，在该分离栅极及该沟渠栅极之间具有一上层绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于节能元件控股有限公司，未经节能元件控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511021386.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种冷气扇智能调控电路
- 下一篇：一种新风系统自动化控制系统
- 同类专利
- 专利分类
