[发明专利]一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器

摘要

一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为10¹⁷～10²⁰原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。

主权项

1.一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，其特征是光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm，掺杂通过单独工艺实现；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体；所述光学天线的太赫兹探测器工作方案为，在晶体管栅极上加上直流偏置电压，源极接地，漏极浮空，信号电压从漏极输出；对频率为650GHz的太赫兹源信号的电压响应时，光学天线的参数分别为： D＝20微米、L＝68微米、 W＝1微米、θ＝120度、掺杂浓度为1020原子/每立方厘米；光学天线长度D，宽度W；半径L，张角角度为θ。