[发明专利]一种MEMS锚区结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201511016396.X | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105621341A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 赵成龙 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS锚区结构及其制备方法，该锚区结构包括下结构层，以及依次设置在所述下结构层上的牺牲层和上结构层，所述上结构层中设有释放孔，所述牺牲层中嵌设有若干释放阻挡件，阻隔牺牲层的部分与所述释放孔的连通、形成保留区。本发明的MEMS锚区结构，通过在牺牲层设置释放阻挡件，形成保留区，从而在器件结构区释放长度较大或者牺牲层释放腐蚀速率的误差也比较大的情况下，能有效减少且精确控制腐蚀剂对锚区牺牲层材料的腐蚀量，从而可以不用增加锚区面积设计，有利于器件小型化及确保整体结构强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS锚区结构，其特征在于：包括下结构层，以及依次设置在所述下结构层上的牺牲层和上结构层，所述上结构层中设有释放孔，所述牺牲层中嵌设有若干释放阻挡件，阻隔牺牲层的部分与所述释放孔的连通、形成保留区。
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