[发明专利]气体分配系统及等离子体祛光刻胶装置及其气体分配方法有效
| 申请号: | 201511010558.9 | 申请日: | 2015-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN106935466B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
| 发明(设计)人: | 陈妙娟;吴狄;何乃明 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;G03F7/42 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张妍;张静洁 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种气体分配系统及等离子体祛光刻胶装置及其气体分配方法,利用连接气体源的调气板将气体通入等离子体祛光刻胶装置内,调气板的遮挡部用于阻挡气体电离发出的紫外光,避免紫外光直接照射到晶片表面造成晶片损伤,调气板的通气部用于引导气流进入等离子体祛光刻胶装置内,利用气流中的中性自由基实现对晶片的光刻胶祛除,优化晶片表面的气流量,使晶片表面的气流量均匀分布。本发明既避免了气体电离的紫外光照射到晶片表面,又优化了晶片表面的气体流量,获得均匀的气体分布,从而实现对晶片表面的均匀刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词: | 气体 分配 系统 等离子体 光刻 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气体分配系统,其设置在等离子体祛光刻胶装置内,所述的等离子体祛光刻胶装置包含腔体(1)、设置在腔体外部的气体源(10)、以及与所述气体源连接的进气通道(11),所述气体源(10)中的气体在进气通道内(11)进行电离气体电离,其特征在于,所述的气体分配系统包含设置在进气通道出口的调气板(8),所述的调气板(8)具有遮挡部和通气部,遮挡部用于阻挡进气通道内电离气体电离发出的紫外光,避免紫外光直接照射到晶片表面造成晶片损伤,通气部用于引导气体及等离子体进入等离子体祛光刻胶装置内,实现对晶片的祛光刻胶处理;所述的遮挡部投影到进气通道(11)直径平面上的部分,将进气通道完全遮挡住;所述的通气部避免紫外光通过通气部直接照射到晶片表面,通气部的设置使气体均匀分布;所述的调气板(8)包含:遮挡部(801)和若干连接遮挡部(801)的叶片(802),相邻叶片(802)之间具有气流通道(803),所有的气流通道(803)形成通气部,所述遮挡部(801)在进气通道(11)直径平面上的投影部分能够完全遮挡进气通道(11)。
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