[发明专利]一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法在审
| 申请号： | 201511002465.1 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105483617A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;廖杨芳;肖清泉;梁枫;王善兰;吴宏仙;房迪;张晋敏;陈茜;谢晶;范梦慧;黄晋;章竞予 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 制备 mg sub si 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜, 然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。
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