[发明专利]碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用在审
| 申请号： | 201510997118.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105506632A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;武鹏;孙鸣 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/34 | 分类号： | C23F1/34;C23F3/04 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用，主要由SiO2磨料、氧化剂、活性剂和螯合剂组成的碱性抛光液，其pH值9～13，其特征是：所述碱性抛光液的螯合剂在低机械压力下对铜膜的高去除速率的应用。有益效果：本发明的碱性抛光液利用FA/O型螯合剂含有多羟基多胺基的碱性大分子，对溶液中的铜离子有极强的络合作用，其反应产物稳定存在且易溶于水，实现了在低机械压力下对铜膜的高去除速率。 | ||
| 搜索关键词： | 碱性 抛光 压力 提高 glsi 布线 去除 速率 应用 | ||
【主权项】：
一种碱性抛光液在低压力下提高GLSI铜布线铜膜去除速率的应用，主要由SiO2磨料、氧化剂、活性剂和螯合剂组成的碱性抛光液，其pH值9～13，其特征是：所述碱性抛光液的螯合剂在低机械压力下对铜膜的高去除速率的应用。
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