[发明专利]半导体器件扇出封装结构的制作方法有效
| 申请号: | 201510996030.7 | 申请日: | 2015-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN105575823A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 施建根 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本申请公开了一种半导体器件扇出封装结构的制作方法,包括:制作半导体器件柱状凸点单体以及再布线基板,将半导体器件柱状凸点单体倒装于再布线基板上,回流实施树脂填充;制作再布线基板包括:在载板表面形成聚合层,在聚合层上形成多个第一开口;在聚合层的正面涂上感光膜,对感光膜进行曝光显影形成图案;采用电镀方法在聚合层表面以及第一开口内形成再布线金属板,再布线金属板的厚度根据半导体器件柱状凸点单体中的芯片所需的电流而匹配;在再布线金属板上形成焊料凸点。本申请以载板代替种子层,在再布线基板形成后可直接去除;再布线金属板的厚度可根据半导体器件所需的电流而匹配,两两再布线金属板间隔进一步缩小,提高封装精度。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件扇出封装结构的制作方法,其特征在于,包括:制作半导体器件柱状凸点单体及再布线基板,将所述半导体器件柱状凸点单体倒装于所述再布线基板上,以及回流实施树脂填充;其中,制作所述再布线基板包括:在载板表面形成聚合层,在所述聚合层上形成多个第一开口;在所述聚合层的正面涂上感光膜,对所述感光膜进行曝光显影形成图案;采用电镀方法在所述聚合层的表面以及所述第一开口内形成再布线金属板,所述再布线金属板的厚度根据所述半导体器件柱状凸点单体中的芯片所需的电流而匹配;在所述再布线金属板上形成焊料凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





