[发明专利]电子照相用构件、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 201510995983.1 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105739261B 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 山田真树;山口壮介;有村秀哉;山内一浩;西冈悟 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G15/02 分类号: G03G15/02;G03G15/08
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及电子照相用构件、处理盒和电子照相设备。提供能够形成高品质电子照相图像的电子照相用构件。该电子照相用构件包括导电性基体和在导电性基体上的导电性树脂层,其中该导电性树脂层包含在分子内具有特定的阳离子结构的树脂和特定的阴离子。 1
搜索关键词: 电子照相 导电性树脂层 电子照相设备 导电性基体 处理盒 电子照相图像 阳离子结构 高品质 阴离子 树脂
【主权项】:
1.一种电子照相用构件,其包括:

导电性基体;和

在所述导电性基体上的导电性树脂层,

其特征在于:

其中所述导电性树脂层包含:

在分子内具有选自由下式(1)至(13)和(29)组成的组的至少一种阳离子结构的树脂;和

阴离子,和

其中所述阴离子包括选自由氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化烷基磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化烷基磺酰基甲基化物阴离子、氟化磺酸根阴离子、氟化烷基磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化砷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、二氰胺阴离子、和双(草酸)硼酸根阴离子组成的组的至少一种:

式(1)至(4)中:

R1至R8各自独立地表示在各式(1)至(4)中形成五元环、六元环、或七元环的含氮杂环所需的烃基;

R9和R10各自独立地表示氢原子或具有1个以上且4个以下的碳原子的烃基;和

两个N之一表示N+

式(5)至(9)中:

R11至R15各自独立地表示在各式(5)至(9)中形成五元环、六元环、或七元环的含氮杂环所需的烃基;和

R16表示氢原子或具有1个以上且4个以下的碳原子的烃基;

式(10)至(13)和(29)中:

R17至R20和R47各自独立地表示在各式(10)至(13)和(29)中形成五元环、六元环、或七元环的含氮杂环所需的烃基;

R21、R22和R48各自独立地表示氢原子或具有1个以上且4个以下的碳原子的烃基;和

式(10)至(13)中,两个N之一表示N+

式(1)至(13)和(29)中:

X1至X34各自独立地表示由下式(A)、(b)或(c)表示的结构:

式(A)

式(b)

式(c)

式(A)、(b)或(c)中:

符号"*"表示与式(1)至(13)和(29)中的含氮杂环中的氮原子或含氮杂环中的碳原子的键合位点;

符号"**"表示与所述树脂的聚合物链中的碳原子的键合位点;和

n1、n2和n3各自独立地表示1以上且4以下的整数。

2.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中由式(1)或式(2)表示的结构分别包括由下式(1‑1)或下式(2‑1)表示的结构:

式(1‑1)

式(2‑1)

3.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中由式(3)表示的结构包括由下式(3‑1)表示的结构:

式(3‑1)

4.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中由式(5)表示的结构包括由下式(5‑1)表示的结构:

式(5‑1)

5.根据权利要求1所述的电子照相用构件,其中由式(6)或式(7)表示的结构分别包括由下式(6‑1)或下式(7‑1)表示的结构:

式(6‑1)

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