[发明专利]P型外延片生产中的电阻率监控方法有效

专利信息
申请号: 201510992474.3 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN105552003B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 任坚;张洪伟 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种P型外延片生产中的电阻率监控方法,包括如下步骤:步骤一、采用和产品外延片相同工艺在测试外延片表面形成P型外延层。步骤二、对测试外延片进行测试预处理:步骤21、采用去离子水对形成P型外延层的表面进行冲洗并形成自然氧化膜。步骤22、进行甩干。步骤三、采用四探针测试仪对测试外延片的P型外延层进行电阻率测试。本发明能够减少测试误差,能够提高电阻率的测试效率,降低测试成本,同时相对能提高产品的生产效率和降低产品的生产成本。
搜索关键词: 外延 生产 中的 电阻率 监控 方法
【主权项】:
1.一种P型外延片生产中的电阻率监控方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、采用和产品外延片的P型外延层相同的生产工艺在测试外延片表面形成P型外延层,通过所述测试外延片的P型外延层监控所述产品外延片的的P型外延层的电阻率;所述产品外延片的P型外延层的电阻率大于10欧姆·厘米;步骤二、在电阻率测试之前对所述测试外延片进行测试预处理,所述测试预处理包括分步骤:步骤21、采用去离子水对形成所述测试外延片的P型外延层的表面进行冲洗并形成自然氧化膜,用以在测试前去除所述测试外延片的P型外延层的表面的大量‑H,‑CH键;步骤22、对所述测试外延片进行甩干;步骤三、采用四探针测试仪对所述测试外延片的P型外延层进行电阻率测试;步骤三中测试得到的电阻率在所要求的范围时,测试成功,所述产品外延片继续生产;步骤三中测试得到的电阻率超出所要求的范围时,测试失败,所述产品外延片停止生产,并进行原因检测。
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