[发明专利]一种InP沟槽腐蚀方法在审
| 申请号： | 201510984297.4 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105576499A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 苏辉;张鹏 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/24 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350003 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种InP沟槽腐蚀方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一InGaAs-InP-InGaAs器件结构，所述InGaAs-InP-InGaAs器件结构包括一设置于表层的第一InGaAs层、一设置于中间层的一InP层以及一设置于底层的第二InGaAs层；步骤S2：在InGaAs层的表面生长SiO2，形成一SiO2层后进行光胶涂覆，对涂覆上的光胶中部进行图形光刻；步骤S3：在光胶的图形光刻处对生成的SiO2层进行刻蚀，并将SiO2层未刻蚀部分上的光胶去除；步骤S4：对第一InGaAs层以及所述InP层的中部进行腐蚀，形成的沟槽呈碗口状；步骤S5：对InP层继续进行腐蚀，第二InGaAs层不受到腐蚀，InP层形成的沟槽剖面呈等腰梯形；步骤S6：腐蚀结束后将SiO2层去除。本发明通过湿法腐蚀来实现，通过改变工艺条件中化学试剂的不同配比来实现沟槽形貌的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 沟槽 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种InP沟槽腐蚀方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤S1：提供一InGaAs‑InP‑InGaAs器件结构，所述InGaAs‑InP‑InGaAs器件结构包括一设置于表层的第一InGaAs层、一设置于中间层的一InP层以及一设置于底层的第二InGaAs层；步骤S2：在所述InGaAs层的表面生长SiO2，形成一SiO2层后进行光胶涂覆，对涂覆上的光胶中部进行图形光刻；步骤S3：在光胶的图形光刻处对生成的所述SiO2层进行刻蚀，并将所述SiO2层未刻蚀部分上的光胶去除；步骤S4：对所述第一InGaAs层以及所述InP层的中部进行腐蚀，形成的沟槽呈碗口状； 步骤S5：对所述InP层继续进行腐蚀，所述第二InGaAs层不受到腐蚀，所述InP层形成的沟槽剖面呈等腰梯形； 步骤S6：腐蚀结束后将所述SiO2层去除。
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